“乐竞官网”东芝和西数正研发128层3D NAND闪存最早2020年上市

作者：乐竟体育（中国）官方网站 - LEJINGSPORTS 发布：2026-05-30 点击量：747

结合“乐竞官网”东芝和西数正研发128层3D NAND闪存最早2020年上市的使用场景，下文将重点信息重新梳理成更易阅读的版本。据报导，该芯片还使用了CuA（阵列电路），这是一种设计创意，节省了15%的芯片尺寸。

根据外媒的报导，东芝及其战略盟友西部数据打算发售更高密度128层3DNAND存储器。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。据介绍，芯片将构建TLC，而不是改版的QLC。这有可能是因为NAND存储器制造商依然对QLC芯片的低产量有担忧。

该芯片的数据密度为512Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以进一步在2020到2021年构建商业化生产。据报导，新的芯片每单位信道的载入性能从66MB/s减少到132MB/s。

本文来源：lejing-www.saweb-lejing.com.cn